蓉矽半導體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V，AEC-Q101標準中對H3TRB項目的反偏電壓要求通常為100V，而HV-H3TRB考核則需將考核電壓提高到960V，蓉矽SiC MOSFET在此次考核中順利通過了 HV-H3TRB可靠性驗證，同時對于應用端特別關(guān)注的柵氧可靠性問題，蓉矽的產(chǎn)品通過了VGS=+22V/-8V的嚴苛HTGB考核，表明器件在特定應用場景中，也有優(yōu)秀的穩(wěn)定性和可靠性，可滿足新能源汽車、光伏逆變等領(lǐng)域?qū)β势骷母哔|(zhì)量和車規(guī)級可靠性要求。

AEC-Q101認證是汽車行業(yè)最為核心的國際標準之一，是國際汽車行業(yè)通用的技術(shù)規(guī)范，包括各類環(huán)境應力、可靠性、耐久性、壽命測試等，擁有專門的測試要求和判斷標準，廣電計量出具公信力的AEC-Q檢測驗證報告，通過AEC-Q認證代表著器件具有優(yōu)異品質(zhì)和高可靠性。蓉矽半導體正在用DFR設計理念，全供應鏈管理體系，完整的質(zhì)量管理體系向客戶提供高質(zhì)量、高可靠性SiC功率器件，保證交付的每一個批次、每一顆產(chǎn)品都符合標準要求。

        蓉矽半導體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V，最大可持續(xù)電流達75A。

        產(chǎn)品特點如下：

        1、采用溝道自對準工藝和凸多邊形密鋪的元胞布局形式，增加溝道密度、降低溝道電阻，提升器件在單位面積內(nèi)的電流能力；

        2、采用多晶硅網(wǎng)絡優(yōu)化技術(shù)，充分降低柵極內(nèi)阻，提高器件在開關(guān)過程中對輸入電容的充放電速度，降低器件開關(guān)損耗；

        3、采用結(jié)終端優(yōu)化技術(shù)，降低器件在結(jié)終端的曲率效應，提高器件耐壓能力；采用開爾文源的PAD設置，降低封裝中的雜散電感；

        4、VDD=800V時，短路耐受時間>3μs，TO-247-4封裝測試開啟損耗為635μJ；

        5、在下圖中，A為外商產(chǎn)品，B為國內(nèi)廠商產(chǎn)品；所對比產(chǎn)品規(guī)格接近，封裝形式皆為TO-247-3L，驅(qū)動電壓采用各廠商推薦值，測試結(jié)果采用標準化處理且蓉矽產(chǎn)品為“1"。從對比結(jié)果可以看出，得益于密勒電容和多晶硅電阻的優(yōu)化，蓉矽第一代SiC MOSFET在開關(guān)損耗上的表現(xiàn)在所有競品中處于較好水平。

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